삼성전자가 메모리 반도체 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용해 D램을 양산할 수 있는 채비를 갖췄다. EUV는 빛으로 웨이퍼(반도체 원판)에 회선을 그리기 때문에 회로의 선폭을 줄여 생산성을 극대화하고 성능·수율(완제품 비율)을 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 올해 하반기부터 EUV 전용 신규 생산라인인 평택 ‘V2’를 가동하고, 내년부터 EUV 공정을 전면 적용한 차세대 D램 제품을 내놓는다는 계획이다.
(Source)
삼성전자가 메모리 반도체 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용해 D램을 양산할 수 있는 채비를 갖췄다. EUV는 빛으로 웨이퍼(반도체 원판)에 회선을 그리기 때문에 회로의 선폭을 줄여 생산성을 극대화하고 성능·수율(완제품 비율)을 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 올해 하반기부터 EUV 전용 신규 생산라인인 평택 ‘V2’를 가동하고, 내년부터 EUV 공정을 전면 적용한 차세대 D램 제품을 내놓는다는 계획이다.
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