삼성, 내년 업계 최초 EUV DRAM 양산

삼성 전자는 극초 자외선 (EUV) 처리 기술을 업계 최초로 DRAM (Dynamic Random Access Memory) 칩 생산에 성공적으로 적용하여 COVID-19 당시 경쟁 업체와의 기술 격차를 더욱 확대했습니다. 불확실성.

한국 반도체 업체는 수요일 업계 최초로 EUV 기반 10nm 급 (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM 모듈 100 만 개를 출하하고 전세계 고객의 평가를 완료했다고 발표했다.

세계 최대 DRAM 생산 업체 인 삼성 전자는 업계 최초로 DRAM 생산에 EUV를 채택했습니다. EUV 기술은 다중 패터닝에서 반복적 인 단계를 줄이고 패터닝 정확도를 향상시켜 성능과 수율을 높이고 개발 시간을 단축 할 수 있다고 밝혔다.

DRAM 제품 및 기술 담당 부사장 이정배 부사장은 “이번 주요 발전은 프리미엄 메모리 시장을위한 최첨단 프로세스 기술 및 차세대 메모리 제품의 적시 개발을 통해 글로벌 IT 혁신에 지속적으로 기여하는 방법을 강조합니다.” 삼성 전자에서

EUV 기반 10nm 클래스 (D1x) DDR4의 성공적인 생산에 이어이 회사는 4 세대 10nm 클래스 (D1a) 또는 고급 14nm를 포함하여 EUV를 사용하여 프리미엄 차세대 DRAM 칩의 대량 생산을 준비하고 있습니다. 기존 패터닝 기술로 생산 된 제품에 비해 품질과 수율이 향상된 DRAM.

삼성 전자는 내년에 D1a 기반 DDR5 및 LPDDR5의 상용 생산을 시작할 계획이며, 이는 12 인치 D1x 웨이퍼의 생산 생산성을 두 배로 높일 것이다.

내년 DDR5 / LPDDR5 시장의 확장에 따라 삼성은 메모리 시장 전체에서 DDR5 / LPDDR5 로의 전환을 가속화함에 따라 표준 사양 최적화에 관해 주요 IT 고객 및 반도체 공급 업체와의 협력을 더욱 강화할 것입니다.

삼성은 차세대 프리미엄 DRAM 칩에 대한 수요 증가에 대응하기 위해 올해 하반기 중 평택에 새로운 반도체 제조 라인을 가동 할 것이라고 밝혔다.

목요일 삼성 전자 주식은 1.75 % 하락한 47,800 원 (38.81 달러)에 마감했다.